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MSM创建RAID阵列

发布时间:2021-02-15 点击数:638

为便于操作,以下均隐藏了日志窗口和状态属性窗口。

 

在Physical标签页或者Logical标签页中,确认有足量且状态为"Unconfigured Good"的硬盘。

 

三1.png

 

右键点击阵列卡型号,再点击"Create Virtual Drive"

 

 

如果存在JBOD状态的硬盘,会先提示是否将JBOD状态的硬盘转换为Unconfigured Good状态。

 

如要转换,则选中相应的硬盘,并点击"Convent"按钮;如不转换,则勾选"Do not convent JBOD...",再点击"Next"下一步。

 

 

在创建阵列向导中,选择"Advanced"高级模式单选框,再点击"Next"下一步。

 

"Simple"简单模式本文不介绍。

 

 

以创建由4个硬盘组成的RAID5阵列为例。"RAID Level"选择"RAID 5",在"Select unconfigured drives:"中选中硬盘(可按Shift键或者Ctrl键同时选中多个硬盘),再点击"Add >>"按钮添加到"Drive groups:"中。

 

 

在"Drive groups:"中确认硬盘无误后,点击"Create Drive Group"创建阵列,再点击"Next"下一步。

 

 

接下来设置RAID5卷的属性,可以自定义"Capacity"卷容量、"Initialization State"初始化等选项。

 

"Capacity"卷容量:默认是最大值,可根据需求调整数值和"Units"单位。

 

"Initialization state"初始化:默认是"No Initialization"不初始化,不会抹除硬盘上的数据;如果是要在创建阵列同时抹除硬盘上原有的数据的话,建议选择"Fast Initialization"快速初始化,"Full Initialization"完全初始化可能需要数小时的时间才能完成。

 

"Strip size"条带尺寸:RAID阵列的最小数据块尺寸,如非专业人员及有特定需求,否则不建议修改默认值。

 

"Read policy"读缓存策略,如非专业人员及有特定需求,否则不建议修改默认值。

 

"Write policy"写缓存策略,如非专业人员及有特定需求,否则不建议修改默认值。

 

"I/O policy"IO策略:默认为"Direct I/O",如非专业人员及有特定需求,否则不建议修改默认值。

 

"Access policy"访问策略:默认为"Read Write",如非专业人员及有特定需求,否则不建议修改默认值。

 

"Disk cache policy"硬盘缓存策略,如非专业人员及有特定需求,否则不建议修改默认值。

 

有关蓝色框中的参数设置,请参考《联想服务器在UEFI HII界面中配置阵列的基本操作》(知识库编号:154455),第七节 修改阵列缓存策略等参数中的介绍。

 

设置完毕后,点击"Create Virtual Drive"。

 

 

根据"Write policy"选项设置的不同,会有相应的警告提示,确认后继续。

 

Write Back 回写模式:提供最佳的阵列读写性能,但仅当阵列卡配备有电池、超级电容时才生效。如果没有电池、超级电容,或者未处于正常状态,则自动切换为Write Through 直写模式。

 

 

Write Through 直写模式:当遇到停电事故时缓存数据丢失风险最低,但阵列读写性能也较低。

 

 

Always Write Back 强制回写模式:不论是否配备有电池、超级电容,以及其状态是否正常,都强制使用回写模式。此时能提供最佳的读写性能,但数据丢失风险最高。

 

 

如果阵列还有剩余空间未分配,还可以再创建RAID卷,选项参数同上。

 

创建完毕后,点击"Next"下一步。

 

 

确认前述创建RAID阵列和卷的操作,点击"Finish"完成向导。

 

 

提示阵列和卷创建完成。

 

 

此时在Logical标签页就能看到已经创建完的RAID5阵列和2个卷,4个硬盘的状态变成Online。

 

三2.png



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