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当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18~24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。这就是摩尔定律的大概内容。
单位面积内晶体管数量翻倍并不意味着制程就要缩小一半，缩小一半的话单位面积晶体管数量就翻了4倍，所以如果要保证两倍的成长，那么整代升级应该乘以0.7。所以从14nm到10nm，以及后面从10nm到7nm，都是遵循了摩尔定律的整代升级。
先前，媒体曾报导，7nm制程工艺最逼近硅基半导体工艺的物理极限。后来，媒体又报导，7nm工艺并非半导体工艺的极限，后面还依次有5nm工艺、3nm工艺，且5nm工艺、3nm工艺并没有突破硅材料半导体工艺的极限。极限本来是一个数学术语，广义的极限指的是“无限靠近且永远不能到达”的意思。
半导体搞起来，现在凝聚了人类技术顶峰的科技，名为超级集成电路，在小小的硅晶圆上蚀刻电路。这个里记住一个关键点～能带理论！这是电子运动的近似理论，极限就是纳米级别，再往下，科学界懵逼了，原理都没有，当然干不出新活了。
除了漏电问题之外，一旦小于7nm，除非材料变换，不然根本控制不了功耗，会导致手机发热严重，而且目前光刻的难度也越来越大，现在各家都在搞3d堆叠，工艺不变小不代表性能不提升，芯片研发主要分为设计和制造工艺两大块，现在来看，设计反而是比较容易的事情，而制造工艺门槛越来越高，优势企业的垄断地位越发明显。
